业绩稳定增长，持续加大研发力度
　　公司18H1报告期内，实现营业收入11.07亿元，比去年同期增长17.88%；归属于上市公司股东的净利润2.35亿元，比去年同期增长30.99%。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】2018H1研发支出达9,322.71万元，比去年同期增长97.08%；公司2018年股权激励计划实施后，实现了核心员工全覆盖，保证了公司长期竞争力的稳定性。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）。
　　产品线持续丰富优化，市场竞争力继续提升
　　公司产品线主要分为FLASH和MCU两个大类。公司FLASH产品持续技术升级，主要体现在两个方面：（1）NORFLASH512MB产品实现量产，高中低压产品线全面丰富，工艺横跨55-65nm，产品性能与成本竞争力进一步提高；（2）NANDFlash38nm产品已稳定量产，具备业界领先的性能和可靠性；24nmNANDFlash也在推进研发工作。公司MCU产品组合式推出，针对高性能、低成本和物联网应用分别开发新产品。高性能M4系列产品实现量产，在指纹识别、无线充电等新型热门领域取得广泛应用；更低功耗和成本的M3系列产品推出，继续保持市场的领先优势。目前MCU产品主要采用110nm、55nm工艺平台，已经启动40nm工艺制程平台产品开发。
　　进军DRAM领域，国产存储器“芯”火燎原
　　公司与合肥产投合作开展工艺制程19nm的12英寸晶圆存储器的研发工作，项目预算约为180亿人民币，预计2018年底实现产品良率不低于10%。这是公司在DRAM领域的重要布局，也是对国产DRAM产业的重大推进。根据合肥长鑫公布的最新进展公告，2020年将开始规划二厂建设，2020年还将完成17nm技术研发。我们认为公司进军DRAM，是国产存储器发展的历史性事件，为实现DRAM海量市场的国产替代打下了坚实的基础。
　　国产存储器唯一A股标的，维持“买入”评级
　　我们看好公司在主营业务的快速基础上，持续导入DRAM市场的长期战略。预计公司2018-2020年净利润为5.70/7.66/10.54亿元，对应市盈率分别为55.8/41.6/30.2倍，给予“买入”评级。
　　风险提示：扩产不及预期，行业竞争加剧。